STP4N62K3

Teknik Özellikler

Direnç

1.95Ohm

Turn On Delay Time

10 ns

Vgsth Max Id

4.5V @ 50μA

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Power Dissipation

70W

Montaj

Through Hole

Genişlik

4.6mm

Drain To Source Breakdown Voltage

620V

Transistor Application

SWITCHING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Uzunluk

10.4mm

Current Continuous Drain Id25

3.8A Tc

Fall Time Typ

19 ns

Continuous Drain Current Id

3.8A

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Pin Sayısı

3

Threshold Voltage

3.75V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Jedec95 Code

TO-220AB

Rise Time

9ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

450pF @ 50V

Radyasyon Dayanımı

No

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Seri

SuperMESH3™

Pin Sayısı

3

Gate Charge Qg Max Vgs

14nC @ 10V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Fet Type

N-Channel

Terminal Sayısı

3

Temel Parça No

STP4N

Kılıf / Paket

TO-220-3

Turn Off Delay Time

29 ns

Vgs Max

±30V

JESD-609 Kodu

e3

Reach Svhc

No SVHC

Ambalaj

Tube