STP35NF10

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Lifecycle Status

NRND (Last Updated: 8 months ago)

Fet Type

N-Channel

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Reach Svhc

No SVHC

Ambalaj

Tube

Kılıf / Paket

TO-220-3

Vgs Max

±20V

Yükseklik

9.15mm

Power Dissipation Max

115W Tc

Akım Değeri

40A

Turn On Delay Time

17 ns

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Power Dissipation

115W

Montaj

Through Hole

Uzunluk

10.4mm

Genişlik

4.6mm

Transistor Application

SWITCHING

ECCN Kodu

EAR99

Weight

4.535924g

Transistor Element Material

SILICON

Fall Time Typ

15 ns

Number Of Elements

1

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Sayısı

3

Temel Parça No

STP35N

Seri

STripFET™ II

Pin Sayısı

3

Gate Charge Qg Max Vgs

55nC @ 10V

JESD-609 Kodu

e3

Turn Off Delay Time

60 ns

Montaj Tipi

Through Hole

Parça Durumu

Not For New Designs

Rds On Max Id Vgs

35m Ω @ 17.5A, 10V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Kurşunsuz

Lead Free

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Direnç

35mOhm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant