STP30NF10

Teknik Özellikler

Vgs Max

±20V

Kılıf / Paket

TO-220-3

Ambalaj

Tube

Reach Svhc

No SVHC

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Akım Değeri

35A

Power Dissipation Max

115W Tc

Yükseklik

9.15mm

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Radyasyon Dayanımı

No

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fet Type

N-Channel

Transistor Element Material

SILICON

Fall Time Typ

10 ns

Number Of Elements

1

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Contact Plating

Tin

Power Dissipation

115W

Montaj

Through Hole

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Turn On Delay Time

15 ns

Transistor Application

SWITCHING

ECCN Kodu

EAR99

Genişlik

4.6mm

Uzunluk

10.4mm

Turn Off Delay Time

45 ns

JESD-609 Kodu

e3

Kurşunsuz

Lead Free

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Rds On Max Id Vgs

45m Ω @ 15A, 10V

Parça Durumu

Active

Montaj Tipi

Through Hole

Gate Charge Qg Max Vgs

55nC @ 10V

Seri

STripFET™ II

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Avalanche Energy Rating Eas

275 mJ

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Temel Parça No

STP30N

Case Connection

DRAIN