STP21NM50N

Teknik Özellikler

Fet Type

N-Channel

Gate To Source Voltage Vgs

25V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yükseklik

9.15mm

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Power Dissipation Max

140W Tc

Akım Değeri

18A

Reach Svhc

No SVHC

Ambalaj

Tube

Kılıf / Paket

TO-220-3

Vgs Max

±25V

Uzunluk

10.4mm

Qualification Status

Not Qualified

Genişlik

4.6mm

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Transistor Application

SWITCHING

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Turn On Delay Time

22 ns

Montaj

Through Hole

Power Dissipation

140W

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

1

Transistor Element Material

SILICON

Fall Time Typ

30 ns

Temel Parça No

STP21N

Avalanche Energy Rating Eas

480 mJ

Terminal Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Seri

MDmesh™ II

Gate Charge Qg Max Vgs

65nC @ 10V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Montaj Tipi

Through Hole

Parça Durumu

Obsolete

Rds On Max Id Vgs

190m Ω @ 9A, 10V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Kurşunsuz

Lead Free

JESD-609 Kodu

e3

Turn Off Delay Time

90 ns

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant