STP210N75F6

Teknik Özellikler

Fet Type

N-Channel

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Radyasyon Dayanımı

No

Yükseklik

15.75mm

Power Dissipation Max

300W Tc

Ambalaj

Tube

Reach Svhc

No SVHC

Vgs Max

±20V

Kılıf / Paket

TO-220-3

Uzunluk

10.4mm

Transistor Application

SWITCHING

ECCN Kodu

EAR99

Genişlik

4.6mm

Power Dissipation

300W

Montaj

Through Hole

Turn On Delay Time

34 ns

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Element Material

SILICON

Fall Time Typ

71 ns

Number Of Elements

1

Terminal Sayısı

3

Temel Parça No

STP210

Gate Charge Qg Max Vgs

171nC @ 10V

Seri

DeepGATE™, STripFET™ VI

Pin Sayısı

3

Parça Durumu

Obsolete

Montaj Tipi

Through Hole

Kurşunsuz

Lead Free

Rds On Max Id Vgs

3.7m Ω @ 60A, 10V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

JESD-609 Kodu

e3

Turn Off Delay Time

154 ns

Current Continuous Drain Id25

120A Tc

Kurşunsuz Kodu

yes

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drain To Source Breakdown Voltage

75V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ