STP120NF10

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Active

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Power Dissipation

312W

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Voltage Rated Dc

100V

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Yükseklik

9.15mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

3

Jedec95 Code

TO-220AB

Vgs Max

±20V

Power Dissipation Max

312W Tc

Akım Değeri

120A

Transistor Element Material

SILICON

Radyasyon Dayanımı

No

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Reach Svhc

No SVHC

Threshold Voltage

4V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

ECCN Kodu

EAR99

Pulsed Drain Currentmax Idm

440A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Uzunluk

10.4mm

Rise Time

90ns

Transistor Application

SWITCHING

Weight

4.535924g

Ambalaj

Tube

Kurşunsuz

Lead Free

Element Configuration

Single

Rds On Max Id Vgs

10.5m Ω @ 60A, 10V

Genişlik

4.6mm

Montaj

Through Hole

Montaj Tipi

Through Hole

Turn On Delay Time

25 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

233nC @ 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Avalanche Energy Rating Eas

550 mJ

Direnç

10.5mOhm

Fet Type

N-Channel