STP11NM80

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e3

Fall Time Typ

15 ns

Current Continuous Drain Id25

11A Tc

Fet Type

N-Channel

Input Capacitance Ciss Max Vds

1630pF @ 25V

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Kılıf / Paket

TO-220-3

Seri

MDmesh™

Montaj

Through Hole

Genişlik

4.6mm

Direnç

400mOhm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Avalanche Energy Rating Eas

400 mJ

Gate Charge Qg Max Vgs

43.6nC @ 10V

Montaj Tipi

Through Hole

Turn On Delay Time

22 ns

Turn Off Delay Time

46 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

800V

Terminal Sayısı

3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Continuous Drain Current Id

11A

Temel Parça No

STP11N

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Akım Değeri

11A

Power Dissipation Max

150W Tc

Vgs Max

±30V

Jedec95 Code

TO-220AB

Threshold Voltage

4V

Reach Svhc

No SVHC

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Radyasyon Dayanımı

No

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Parça Durumu

Active

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

3

Yükseklik

9.15mm

Vgsth Max Id

5V @ 250μA