STP11NK50Z

Teknik Özellikler

Vgsth Max Id

4.5V @ 100μA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

3

Yükseklik

9.15mm

Power Dissipation

125W

Voltage Rated Dc

500V

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Parça Durumu

Active

Reach Svhc

No SVHC

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Threshold Voltage

3.75V

Radyasyon Dayanımı

No

Akım Değeri

10A

Transistor Element Material

SILICON

Jedec95 Code

TO-220AB

Power Dissipation Max

125W Tc

Vgs Max

±30V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Uzunluk

10.4mm

Pulsed Drain Currentmax Idm

40A

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

ECCN Kodu

EAR99

Rds On Max Id Vgs

520m Ω @ 4.5A, 10V

Ambalaj

Tube

Element Configuration

Single

Kurşunsuz

Lead Free

Rise Time

18ns

Transistor Application

SWITCHING

Gate Charge Qg Max Vgs

68nC @ 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Montaj Tipi

Through Hole

Turn On Delay Time

14.5 ns

Montaj

Through Hole

Genişlik

4.6mm

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

1390pF @ 25V

Seri

SuperMESH™

Kılıf / Paket

TO-220-3