STP10NM65N

Teknik Özellikler

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Uzunluk

10.4mm

Transistor Application

SWITCHING

Rise Time

8ns

Kurşunsuz

Lead Free

Element Configuration

Single

Ambalaj

Tube

Rds On Max Id Vgs

480m Ω @ 4.5A, 10V

Parça Durumu

Obsolete

Gate To Source Voltage Vgs

25V

Power Dissipation

90W

Yükseklik

15.75mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

3

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Vgs Max

±25V

Power Dissipation Max

90W Tc

Jedec95 Code

TO-220AB

Transistor Element Material

SILICON

Radyasyon Dayanımı

No

Threshold Voltage

3V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Reach Svhc

No SVHC

Number Of Elements

1

Continuous Drain Current Id

4.5A

Temel Parça No

STP10

Drain Currentmax Abs Id

9A

Pin Sayısı

3

Turn Off Delay Time

50 ns

Terminal Sayısı

3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Drain To Source Breakdown Voltage

650V

Genişlik

4.6mm

Nominal Vgs

3 V

Montaj

Through Hole

Montaj Tipi

Through Hole

Turn On Delay Time

12 ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)