STP10NM60N

Teknik Özellikler

Power Dissipation

70W

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Yükseklik

15.75mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

3

Parça Durumu

Active

Gate To Source Voltage Vgs

25V

Radyasyon Dayanımı

No

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Reach Svhc

No SVHC

Threshold Voltage

3V

Jedec95 Code

TO-220AB

Power Dissipation Max

70W Tc

Vgs Max

±25V

Transistor Element Material

SILICON

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Uzunluk

10.4mm

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

ECCN Kodu

EAR99

Rds On Max Id Vgs

550m Ω @ 4A, 10V

Rise Time

12ns

Transistor Application

SWITCHING

Ambalaj

Tube

Kurşunsuz

Lead Free

Element Configuration

Single

Montaj Tipi

Through Hole

Turn On Delay Time

10 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

19nC @ 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Avalanche Energy Rating Eas

200 mJ

Direnç

550mOhm

Genişlik

4.6mm

Montaj

Through Hole

Seri

MDmesh™ II

Kılıf / Paket

TO-220-3

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

540pF @ 50V

Fet Type

N-Channel

Current Continuous Drain Id25

10A Tc