STP10NK80Z

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Active

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Voltage Rated Dc

800V

Power Dissipation

160W

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

3

Yükseklik

9.15mm

Vgsth Max Id

4.5V @ 100μA

Vgs Max

±30V

Power Dissipation Max

190W Tc

Jedec95 Code

TO-220AB

Transistor Element Material

SILICON

Akım Değeri

9A

Radyasyon Dayanımı

No

Threshold Voltage

3.75V

Reach Svhc

No SVHC

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

ECCN Kodu

EAR99

Uzunluk

10.4mm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Rise Time

20ns

Element Configuration

Single

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tube

Rds On Max Id Vgs

900m Ω @ 4.5A, 10V

Genişlik

4.6mm

Montaj

Through Hole

Turn On Delay Time

30 ns

Montaj Tipi

Through Hole

Direnç

900mOhm

Avalanche Energy Rating Eas

290 mJ

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Gate Charge Qg Max Vgs

72nC @ 10V

Current Continuous Drain Id25

9A Tc

Fet Type

N-Channel

JESD-609 Kodu

e3

Fall Time Typ

17 ns