STP100NF04

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Active

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Voltage Rated Dc

40V

Power Dissipation

300W

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

3

Yükseklik

9.15mm

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Power Dissipation Max

300W Tc

Vgs Max

±20V

Jedec95 Code

TO-220AB

Transistor Element Material

SILICON

Akım Değeri

120A

Radyasyon Dayanımı

No

Threshold Voltage

4V

Reach Svhc

No SVHC

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Pulsed Drain Currentmax Idm

480A

Uzunluk

10.4mm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Weight

4.535924g

Transistor Application

SWITCHING

Rise Time

220ns

Element Configuration

Single

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tube

Rds On Max Id Vgs

4.6m Ω @ 50A, 10V

Genişlik

4.6mm

Montaj

Through Hole

Turn On Delay Time

35 ns

Montaj Tipi

Through Hole

Direnç

4.6MOhm

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Gate Charge Qg Max Vgs

150nC @ 10V

Current Continuous Drain Id25

120A Tc

Fet Type

N-Channel

JESD-609 Kodu

e3