STF11NM80

Teknik Özellikler

Power Dissipation

35W

Additional Feature

ULTRA-LOW RESISTANCE

Voltage Rated Dc

800V

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Yükseklik

9.3mm

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Parça Durumu

Active

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Radyasyon Dayanımı

No

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Reach Svhc

No SVHC

Threshold Voltage

4V

Jedec95 Code

TO-220AB

Power Dissipation Max

35W Tc

Vgs Max

±30V

Akım Değeri

11A

Transistor Element Material

SILICON

Pulsed Drain Currentmax Idm

44A

Uzunluk

10.4mm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

Rds On Max Id Vgs

400m Ω @ 5.5A, 10V

Rise Time

17ns

Transistor Application

SWITCHING

Ambalaj

Tube

Kurşunsuz

Lead Free

Element Configuration

Single

Montaj Tipi

Through Hole

Turn On Delay Time

22 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

43.6nC @ 10V

Avalanche Energy Rating Eas

400 mJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Direnç

400mOhm

Genişlik

4.6mm

Montaj

Through Hole

Seri

MDmesh™

Kılıf / Paket

TO-220-3 Full Pack

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks