STE53NC50

Teknik Özellikler

Gate Charge Qg Max Vgs

434nC @ 10V

Pin Sayısı

4

Yükseklik

9.1mm

Transistor Element Material

SILICON

Fet Type

N-Channel

Current Continuous Drain Id25

53A Tc

Kılıf / Paket

ISOTOP

Montaj

Chassis Mount, Panel, Screw

Isolation Voltage

2.5kV

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

4

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Pozisyonu

UPPER

Fall Time Typ

38 ns

Parça Durumu

Active

Threshold Voltage

3V

Radyasyon Dayanımı

No

Direnç

80mOhm

Power Dissipation

460W

Uzunluk

38.2mm

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Input Capacitance Ciss Max Vds

11200pF @ 25V

Pin Sayısı

4

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Rise Time

70ns

Vgs Max

±30V

Drain To Source Breakdown Voltage

500V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Power Dissipation Max

460W Tc

Reach Svhc

No SVHC

Voltage Rated Dc

500V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Akım Değeri

53A

Transistor Application

SWITCHING

Element Configuration

Single

Temel Parça No

STE53

Ambalaj

Tube

Genişlik

25.5mm