STD70N10F4

Teknik Özellikler

Fall Time Typ

20 ns

Power Dissipation Max

125W Tc

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Pulsed Drain Currentmax Idm

240A

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Kurşunsuz

Lead Free

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

JESD-609 Kodu

e3

Rds On Max Id Vgs

19.5m Ω @ 30A, 10V

Vgs Max

±20V

Pin Sayısı

3

Montaj Tipi

Surface Mount

Fet Type

N-Channel

Rise Time

20ns

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Parça Durumu

Active

Drain To Source Breakdown Voltage

100V

Turn On Delay Time

30 ns

Element Configuration

Single

Current Continuous Drain Id25

60A Tc

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Element Material

SILICON

Direnç

19.5mOhm

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Power Dissipation

125W

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Radyasyon Dayanımı

No

Gate Charge Qg Max Vgs

85nC @ 10V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Seri

DeepGATE™, STripFET™

Turn Off Delay Time

65 ns

Temel Parça No

STD70N

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V