STD26NF10

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Power Dissipation Max

100W Tc

Fall Time Typ

15 ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Kurşunsuz

Lead Free

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rds On Max Id Vgs

38m Ω @ 12.5A, 10V

JESD-609 Kodu

e3

Avalanche Energy Rating Eas

480 mJ

Vgs Max

±20V

Pin Sayısı

3

Montaj Tipi

Surface Mount

Rise Time

60ns

Parça Durumu

Active

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fet Type

N-Channel

Element Configuration

Single

Drain To Source Breakdown Voltage

100V

Turn On Delay Time

17 ns

Power Dissipation

100W

Current Continuous Drain Id25

25A Tc

Terminal Formu

GULL WING

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Direnç

38MOhm

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Gate Charge Qg Max Vgs

55nC @ 10V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

ECCN Kodu

EAR99

Montaj

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Turn Off Delay Time

60 ns

Seri

STripFET™ II

Temel Parça No

STD26N

Case Connection

DRAIN