STD18N55M5

Teknik Özellikler

Threshold Voltage

4V

Gate Charge Qg Max Vgs

31nC @ 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj

Surface Mount

Number Of Elements

1

Fet Type

N-Channel

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Seri

MDmesh™ V

Current Continuous Drain Id25

16A Tc

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fall Time Typ

13 ns

JESD-609 Kodu

e3

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Pulsed Drain Currentmax Idm

56A

Direnç

180mOhm

Genişlik

6.2mm

Turn Off Delay Time

29 ns

Drain Currentmax Abs Id

9A

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz

Lead Free

Yükseklik

2.4mm

Radyasyon Dayanımı

No

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Vgs Max

±25V

Drain To Source Breakdown Voltage

550V

ECCN Kodu

EAR99

Element Configuration

Single

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Application

SWITCHING

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Continuous Drain Current Id

13A

Uzunluk

6.6mm

Terminal Sayısı

2

Pin Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Montaj Tipi

Surface Mount