STD11N65M5

Teknik Özellikler

Transistor Application

SWITCHING

Number Of Elements

1

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Continuous Drain Current Id

9A

Turn On Delay Time

23 ns

Terminal Sayısı

2

Uzunluk

6.6mm

Fet Type

N-Channel

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Element Configuration

Single

Drain To Source Breakdown Voltage

650V

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Gate Charge Qg Max Vgs

17nC @ 10V

Terminal Formu

GULL WING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj

Surface Mount

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Direnç

480MOhm

Pin Sayısı

3

Drain Currentmax Abs Id

9A

Temel Parça No

STD11

Power Dissipation Max

85W Tc

Genişlik

6.2mm

Turn Off Delay Time

23 ns

Power Dissipation

85W

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz

Lead Free

Yükseklik

2.4mm

Input Capacitance Ciss Max Vds

620pF @ 100V

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Vgs Max

±25V

Rds On Max Id Vgs

480m Ω @ 4.5A, 10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Seri

MDmesh™ V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Parça Durumu

Active