STD10NM60N

Teknik Özellikler

Number Of Elements

1

Fet Type

N-Channel

Avalanche Energy Rating Eas

200 mJ

Threshold Voltage

3V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj

Surface Mount

Gate Charge Qg Max Vgs

19nC @ 10V

Nominal Vgs

3 V

Direnç

600mOhm

Genişlik

6.2mm

Turn Off Delay Time

32 ns

Pin Sayısı

3

Drain Currentmax Abs Id

8A

JESD-609 Kodu

e3

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Vgs Max

±25V

Radyasyon Dayanımı

No

Yükseklik

2.4mm

Kurşunsuz

Lead Free

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Seri

MDmesh™ II

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fall Time Typ

15 ns

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Continuous Drain Id25

10A Tc

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Continuous Drain Current Id

10A

Transistor Application

SWITCHING

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

3

Turn On Delay Time

10 ns

Uzunluk

6.6mm

Terminal Sayısı

2

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Drain To Source Breakdown Voltage

600V

Element Configuration

Single

ECCN Kodu

EAR99