STD100N3LF3

Teknik Özellikler

Power Dissipation

110W

Transistor Element Material

SILICON

Fet Type

N-Channel

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA

Direnç

4.5mOhm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Turn Off Delay Time

31 ns

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Fall Time Typ

35 ns

Temel Parça No

STD10

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Pin Sayısı

3

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Avalanche Energy Rating Eas

500 mJ

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Turn On Delay Time

9 ns

Power Dissipation Max

110W Tc

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Vgs Max

±20V

JESD-609 Kodu

e3

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pin Sayısı

3

Gate Charge Qg Max Vgs

27nC @ 5V

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

ECCN Kodu

EAR99

Seri

STripFET™ II

Parça Durumu

Active

Terminal Sayısı

2

Kurşunsuz

Lead Free

Rise Time

205ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max Id Vgs

5.5m Ω @ 40A, 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)