STB95N3LLH6

Teknik Özellikler

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Uzunluk

10.75mm

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA

Rise Time

91ns

Drainsource On Resistancemax

0.007Ohm

Gate Charge Qg Max Vgs

24.5nC @ 4.5V

Reach Svhc

No SVHC

Montaj Tipi

Surface Mount

Turn On Delay Time

19 ns

Temel Parça No

STB95N

Number Of Elements

1

Terminal Sayısı

2

Power Dissipation

70W

Vgs Max

±20V

Seri

DeepGATE™, STripFET™ VI

Rds On Max Id Vgs

4.2m Ω @ 40A, 10V

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Pin Sayısı

3

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Montaj

Surface Mount

Pin Sayısı

4

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

245

Kurşunsuz Kodu

yes

Power Dissipation Max

70W Tc

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Current Continuous Drain Id25

80A Tc

Yükseklik

4.6mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

Çalışma Sıcaklığı

175°C TJ

Radyasyon Dayanımı

No

Genişlik

10.4mm

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Threshold Voltage

1V

Transistor Element Material

SILICON

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Application

SWITCHING