STB85NF3LLT4

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Temel Parça No

STB85N

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Turn On Delay Time

22 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

40nC @ 4.5V

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Sayısı

2

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

GULL WING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Transistor Element Material

SILICON

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Direnç

8mOhm

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Power Dissipation Max

110W Tc

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Voltage Rated Dc

30V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

Rise Time

130ns

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~175°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Continuous Drain Id25

85A Tc

Pin Sayısı

3

Fall Time Typ

36.5 ns

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kurşunsuz

Lead Free

Gate To Source Voltage Vgs

16V

Continuous Drain Current Id

85A

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

245

Pin Sayısı

3

Akım Değeri

85A

Fet Type

N-Channel

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Power Dissipation

110W

Vgs Max

±16V