STB42N65M5

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

JESD-609 Kodu

e3

Input Capacitance Ciss Max Vds

4650pF @ 100V

Turn Off Delay Time

65 ns

Fet Type

N-Channel

ECCN Kodu

EAR99

Continuous Drain Current Id

33A

Gate To Source Voltage Vgs

25V

Fall Time Typ

13 ns

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Continuous Drain Id25

33A Tc

Yükseklik

4.6mm

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Power Dissipation Max

190W Tc

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Direnç

79mOhm

Threshold Voltage

4V

Transistor Element Material

SILICON

Avalanche Energy Rating Eas

950 mJ

Transistor Application

SWITCHING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Terminal Formu

GULL WING

Radyasyon Dayanımı

No

Genişlik

10.4mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Rds On Max Id Vgs

79m Ω @ 16.5A, 10V

Drain To Source Breakdown Voltage

650V

Power Dissipation

190W

Vgs Max

±25V

Seri

MDmesh™ V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

245

Pin Sayısı

4

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

3

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)