STB3N62K3

Teknik Özellikler

Rise Time

6.8ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Uzunluk

10.75mm

Vgsth Max Id

4.5V @ 50μA

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Terminal Sayısı

2

Gate Charge Qg Max Vgs

13nC @ 10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Reach Svhc

No SVHC

Temel Parça No

STB3N

Turn On Delay Time

9 ns

Rds On Max Id Vgs

2.5 Ω @ 1.4A, 10V

Drain To Source Breakdown Voltage

620V

Seri

SuperMESH3™

Vgs Max

±30V

Power Dissipation

45W

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

245

Pin Sayısı

4

Kurşunsuz Kodu

yes

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

3

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Continuous Drain Id25

2.7A Tc

Yükseklik

4.6mm

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Power Dissipation Max

45W Tc

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Direnç

2.5Ohm

Threshold Voltage

3.75V

Transistor Element Material

SILICON

Avalanche Energy Rating Eas

100 mJ

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

GULL WING

Pulsed Drain Currentmax Idm

10.8A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Radyasyon Dayanımı

No