STB18N55M5

Teknik Özellikler

Terminal Sayısı

2

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Temel Parça No

STB18N

Montaj Tipi

Surface Mount

Reach Svhc

No SVHC

Gate Charge Qg Max Vgs

31nC @ 10V

Drainsource On Resistancemax

0.24Ohm

Rise Time

9.5ns

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Uzunluk

10.75mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

245

Pin Sayısı

4

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz

Lead Free

Additional Feature

ULTRA-LOW RESISTANCE

Rds On Max Id Vgs

192m Ω @ 8A, 10V

Drain To Source Breakdown Voltage

550V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Seri

MDmesh™ V

Vgs Max

±25V

Power Dissipation

90W

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

GULL WING

Pulsed Drain Currentmax Idm

52A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Avalanche Energy Rating Eas

200 mJ

Transistor Element Material

SILICON

Threshold Voltage

4V

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Genişlik

10.4mm

Radyasyon Dayanımı

No

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Continuous Drain Id25

16A Tc

Yükseklik

4.6mm