STB100NF04T4

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Current Continuous Drain Id25

120A Tc

Parça Durumu

Active

ECCN Kodu

EAR99

Rds On Max Id Vgs

4.6m Ω @ 50A, 10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Fall Time Typ

50 ns

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Genişlik

9.35mm

Input Capacitance Ciss Max Vds

5100pF @ 25V

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

3

JESD-609 Kodu

e3

Nominal Vgs

4 V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Transistor Element Material

SILICON

Continuous Drain Current Id

120A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Element Configuration

Single

Direnç

4.6mOhm

Reach Svhc

No SVHC

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Turn Off Delay Time

80 ns

Yükseklik

4.6mm

Vgs Max

±20V

Transistor Application

SWITCHING

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Pulsed Drain Currentmax Idm

480A

Rise Time

220ns

Number Of Elements

1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Sayısı

2

Power Dissipation Max

300W Tc

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Gate Charge Qg Max Vgs

150nC @ 10V

Pin Sayısı

3

Temel Parça No

STB100N