RYC002N05T316

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Vgsth Max Id

800mV @ 1mA

Terminal Formu

GULL WING

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Element Material

SILICON

Fet Type

N-Channel

Kurşunsuz

Lead Free

Kurşunsuz Kodu

yes

Qualification Status

Not Qualified

Parça Durumu

Active

Drainsource On Resistancemax

2.8Ohm

Ds Breakdown Voltagemin

50V

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs Max

±8V

Montaj Tipi

Surface Mount

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation Max

350mW Tc

Current Continuous Drain Id25

200mA Ta

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Transistor Application

SWITCHING

Rds On Max Id Vgs

2.2 Ω @ 200mA, 4.5V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Yüzey Montaj

YES

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)

Continuous Drain Current Id

200mA

JESD-609 Kodu

e1

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Input Capacitance Ciss Max Vds

26pF @ 10V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

Drain To Source Voltage Vdss

50V

Yayın Yılı

2011

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10