RUC002N05T116

Teknik Özellikler

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Element Material

SILICON

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Turn Off Delay Time

15 ns

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

1V @ 1mA

Fet Type

N-Channel

Kurşunsuz Kodu

yes

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Drainsource On Resistancemax

2.4Ohm

Fall Time Typ

55 ns

Drain Currentmax Abs Id

0.2A

Ds Breakdown Voltagemin

50V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Drain To Source Voltage Vdss

50V

Pin Sayısı

3

Gate To Source Voltage Vgs

8V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation Max

200mW Ta

Vgs Max

±8V

JESD-609 Kodu

e1

Number Of Elements

1

Turn On Delay Time

4 ns

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Active

Terminal Sayısı

3

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Montaj Tipi

Surface Mount

Rise Time

6ns

Terminal Formu

GULL WING

Pin Sayısı

3

ECCN Kodu

EAR99

Input Capacitance Ciss Max Vds

25pF @ 10V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Continuous Drain Current Id

200mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING