RTR025P02TL

Teknik Özellikler

Number Of Elements

1

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ds Breakdown Voltagemin

20V

Kılıf / Paket

SC-96

Input Capacitance Ciss Max Vds

630pF @ 10V

JESD-609 Kodu

e1

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

2.5V 4.5V

Gate Charge Qg Max Vgs

7nC @ 4.5V

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Sayısı

3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Rds On Max Id Vgs

95m Ω @ 2.5A, 4.5V

Qualification Status

Not Qualified

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yayın Yılı

2004

Current Continuous Drain Id25

2.5A Ta

Pin Sayısı

3

Parça Durumu

Not For New Designs

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Fet Type

P-Channel

Transistor Element Material

SILICON

Yüzey Montaj

YES

ECCN Kodu

EAR99

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Drainsource On Resistancemax

0.105Ohm

Terminal Formu

GULL WING

Vgs Max

±12V

Montaj Tipi

Surface Mount

Vgsth Max Id

2V @ 1mA

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)

Kurşunsuz Kodu

yes

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Terminal Pozisyonu

DUAL

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Power Dissipation Max

1W Ta

Drain Currentmax Abs Id

2.5A