RT1A050ZPTR

Teknik Özellikler

Drain Currentmax Abs Id

5A

Terminal Sayısı

8

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Dissipation Max

600mW Ta

Transistor Application

SWITCHING

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

8

Current Continuous Drain Id25

5A Ta

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Not For New Designs

Yayın Yılı

2009

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipation

1.25W

Drain To Source Voltage Vdss

12V

Fet Type

P-Channel

Gate Charge Qg Max Vgs

34nC @ 4.5V

Direnç

96MOhm

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Turn On Delay Time

12 ns

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

8

Input Capacitance Ciss Max Vds

2800pF @ 6V

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Montaj

Surface Mount

Fall Time Typ

220 ns

Kurşunsuz

Lead Free

Drain To Source Breakdown Voltage

-12V

Rds On Max Id Vgs

26m Ω @ 5A, 4.5V

Gate To Source Voltage Vgs

10V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Montaj Tipi

Surface Mount

JESD-609 Kodu

e2

Rise Time

95ns

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Continuous Drain Current Id

5A

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Pozisyonu

DUAL