RQ6P015SPTR

Teknik Özellikler

ECCN Kodu

EAR99

Gate Charge Qg Max Vgs

322nC @ 10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Drain To Source Voltage Vdss

100V

Montaj

Surface Mount

Transistor Application

SWITCHING

Power Dissipation Max

600mW Ta

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

JESD-609 Kodu

e3

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Fet Type

P-Channel

Input Capacitance Ciss Max Vds

950pF @ 25V

Number Of Elements

1

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Kılıf / Paket

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Reach Svhc

No SVHC

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Vgs Max

±20V

Vgsth Max Id

2.5V @ 1mA

Rds On Max Id Vgs

470m Ω @ 1.5A, 10V

Threshold Voltage

-2.5V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Direnç

350mOhm

Continuous Drain Current Id

1.5A

Current Continuous Drain Id25

1.5A Ta

Terminal Formu

GULL WING

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4V 10V

Ds Breakdown Voltagemin

100V

Yayın Yılı

2014

Transistor Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Terminal Sayısı

6

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Pin Sayısı

6

Terminal Pozisyonu

DUAL