RQ3E100BNTB

Teknik Özellikler

Current Continuous Drain Id25

10A Ta

Terminal Formu

FLAT

Transistor Element Material

SILICON

Direnç

7.7mOhm

Kılıf / Paket

8-PowerVDFN

ECCN Kodu

EAR99

Montaj

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

8

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Gate Charge Qg Max Vgs

22nC @ 10V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Case Connection

DRAIN

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Yayın Yılı

2014

Terminal Sayısı

5

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Transistor Application

SWITCHING

Continuous Drain Current Id

10A

Input Capacitance Ciss Max Vds

1100pF @ 15V

Number Of Elements

1

Jesd30 Code

R-PDSO-F5

Power Dissipation Max

2W Ta

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Pulsed Drain Currentmax Idm

40A

Vgsth Max Id

2.5V @ 1mA

Kurşunsuz

Lead Free

Threshold Voltage

2.5V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Terminal Pozisyonu

DUAL

Rds On Max Id Vgs

10.4m Ω @ 10A, 10V

Vgs Max

±20V

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Montaj Tipi

Surface Mount

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Fet Type

N-Channel

Reach Svhc

No SVHC