RQ3E080GNTB

Teknik Özellikler

Vgsth Max Id

2.5V @ 1mA

Kurşunsuz

Lead Free

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fall Time Typ

2.4 ns

Power Dissipation Max

2W Ta 15W Tc

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Pulsed Drain Currentmax Idm

32A

Rds On Max Id Vgs

16.7m Ω @ 8A, 10V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Max Junction Temperature Tj

150°C

Montaj Tipi

Surface Mount

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Vgs Max

±20V

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Turn On Delay Time

6.9 ns

Element Configuration

Single

Fet Type

N-Channel

Rise Time

3.6ns

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Yükseklik

900μm

Parça Durumu

Active

Current Continuous Drain Id25

8A Ta

Terminal Formu

FLAT

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

8-PowerVDFN

Power Dissipation

2W

Drain Currentmax Abs Id

8A

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Turn Off Delay Time

17.3 ns

ECCN Kodu

EAR99

Number Of Channels

1

Pin Sayısı

8

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Gate Charge Qg Max Vgs

5.8nC @ 10V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Yayın Yılı

2013