RQ1E050RPTR

Teknik Özellikler

Input Capacitance Ciss Max Vds

1300pF @ 10V

Number Of Elements

1

Transistor Application

SWITCHING

Continuous Drain Current Id

5A

Yayın Yılı

2012

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4V 10V

Terminal Sayısı

8

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Kurşunsuz Kodu

yes

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Turn Off Delay Time

90 ns

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Radyasyon Dayanımı

No

Gate Charge Qg Max Vgs

28nC @ 10V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Number Of Channels

1

Pin Sayısı

8

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj

Surface Mount

Current Continuous Drain Id25

5A Ta

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

8-SMD, Flat Lead

Drain Currentmax Abs Id

5A

Turn On Delay Time

10 ns

Rise Time

15ns

Parça Durumu

Active

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fet Type

P-Channel

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

8

Vgs Max

±20V

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Terminal Pozisyonu

DUAL

JESD-609 Kodu

e2

Rds On Max Id Vgs

31m Ω @ 5A, 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)