J112RL1

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Resistance Rdson

50Ohm

Terminal Sayısı

3

Voltage Breakdown Vbrgss

35V

Fet Type

N-Channel

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Configuration

SINGLE

Yüzey Montaj

NO

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Transistor Application

CHOPPER

Gate To Source Voltage Vgs

35V

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Voltage Rated Dc

35V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Current Drain Idss Vds Vgs0

5mA @ 15V

Operating Mode

DEPLETION MODE

Drainsource On Resistancemax

50Ohm

Kurşunsuz Kodu

yes

Element Configuration

Single

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

JESD-609 Kodu

e0

Drain To Source Voltage Vdss

35V

Terminal Kaplaması

TIN LEAD

Feedback Capmax Crss

5 pF

Yayın Yılı

2000

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Voltage Cutoff Vgs Off Id

1V @ 1μA

Jesd30 Code

O-PBCY-T3

Akım Değeri

50mA

Parça Durumu

Obsolete

Qualification Status

COMMERCIAL

Fet Technology

JUNCTION

Additional Feature

EUROPEAN PART NUMBER

Number Of Elements

1

Power Max

350mW

HTS Kodu

8541.21.00.95

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Max Power Dissipation

350mW