2N5639RLRAG

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Sayısı

3

Qualification Status

COMMERCIAL

Input Capacitance Ciss Max Vds

10pF @ 12V VGS

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Kurşunsuz Kodu

yes

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj Tipi

Through Hole

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Feedback Capmax Crss

4 pF

Transistor Application

SWITCHING

Jesd30 Code

O-PBCY-T3

Kurşunsuz

Lead Free

Voltage Breakdown Vbrgss

35V

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Drainsource On Resistancemax

60Ohm

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)

Voltage Rated Dc

30V

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Temel Parça No

2N5639

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e1

Pin Sayısı

3

Fet Technology

JUNCTION

Operating Mode

DEPLETION MODE

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Akım Değeri

10mA

Gate To Source Voltage Vgs

35V

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Yayın Yılı

2006

Fet Type

N-Channel

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Element Configuration

Single

Configuration

SINGLE

Resistance Rdson

60Ohm

Current Drain Idss Vds Vgs0

25mA @ 20V