2N5639G

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Gate To Source Voltage Vgs

35V

Feedback Capmax Crss

4 pF

Akım Değeri

10mA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Through Hole

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

3

Fet Technology

JUNCTION

Operating Mode

DEPLETION MODE

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Drain To Source Voltage Vdss

30V

JESD-609 Kodu

e1

Input Capacitance Ciss Max Vds

10pF @ 12V VGS

Qualification Status

COMMERCIAL

ECCN Kodu

EAR99

Number Of Elements

1

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Sayısı

3

Voltage Rated Dc

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Temel Parça No

2N5639

Yüzey Montaj

NO

Parça Durumu

Obsolete

Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Montaj

Through Hole

Max Power Dissipation

310mW

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Drainsource On Resistancemax

60Ohm

HTS Kodu

8541.21.00.95

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Resistance Rdson

60Ohm

Power Max

310mW

Current Drain Idss Vds Vgs0

25mA @ 20V

Voltage Breakdown Vbrgss

35V