Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Pd Power Dissipation
- 357 W
- Vds Drainsource Breakdown Voltage
- 750 V
- Kılıf / Paket
- TO-247-4
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 175 C
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Rds On Drainsource Resistance
- 11 mOhms
- Technology
- SiC
- Id Continuous Drain Current
- 104 A
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
İlgili Ürünler
Microsemi
0150SC-1250M
JFETs Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2608
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB/TR
JFETs Transistors
Microsemi Corporation
2N2609
JFETs Transistors
Vishay
2N3819
JFETs Transistors
Central Semiconductor
2N3819 APM PBFREE
JFETs Transistors
Rochester Electronics
2N3819_Q
JFETs Transistors