Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Pd Power Dissipation
- 7.5 W
- Id Continuous Drain Current
- 600 mA
- Transistor Type
- HEMT
- Gain
- 18 dB
- Operating Frequency
- 30 MHz to 3 GHz
- Kılıf / Paket
- QFN-16
- Vds Drainsource Breakdown Voltage
- 32 V
- Moisture Sensitive
- Yes
- Seri
- TGF2965
- Birim Ağırlık
- 0.002014 oz
- Configuration
- Single
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Vgs Gatesource Breakdown Voltage
- - 2.7 V
- Part Aliases
- TGF2965 1123170
- Transistor Polarity
- P-Channel
- Ambalaj
- Tray
- Fabrika Paket Adedi
- 100
- RoHS
- Details
- Output Power
- 6 W
İlgili Ürünler
Microsemi
0150SC-1250M
JFETs Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2608
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB/TR
JFETs Transistors
Microsemi Corporation
2N2609
JFETs Transistors
Vishay
2N3819
JFETs Transistors
Central Semiconductor
2N3819 APM PBFREE
JFETs Transistors
Rochester Electronics
2N3819_Q
JFETs Transistors