Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Type
- HEMT
- Id Continuous Drain Current
- 80 mA
- Applications
- Defense and Aerospace, Broadband Wireless
- Pd Power Dissipation
- 8.9 W
- Nf Noise Figure
- 1.3 dB
- Operating Frequency
- DC to 25 GHz
- Gain
- 15 dB
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Kılıf / Paket
- DIE
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Configuration
- Single
- Seri
- TGF2933
- Part Aliases
- 1113799 1113799
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Fabrika Paket Adedi
- 50
- RoHS
- Details
- Ambalaj
- Gel Pack
- Output Power
- 7.2 W
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 85 C
İlgili Ürünler
Microsemi
0150SC-1250M
JFETs Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2608
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB/TR
JFETs Transistors
Microsemi Corporation
2N2609
JFETs Transistors
Vishay
2N3819
JFETs Transistors
Central Semiconductor
2N3819 APM PBFREE
JFETs Transistors
Rochester Electronics
2N3819_Q
JFETs Transistors