Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Gain
- 16 dB
- Transistor Type
- HEMT
- Birim Ağırlık
- 0.853044 oz
- Moisture Sensitive
- Yes
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Fabrika Paket Adedi
- 25
- Operating Frequency
- 3.5 GHz
- Kılıf / Paket
- NI-650
- Tip
- GaN SiC HEMT
- RoHS
- Details
- Output Power
- 260 W
- Ambalaj
- Tray
- Shipping Restrictions
- This product may require additional documentation to export from the United States.
- Seri
- T1G4020036
- Part Aliases
- T1G4020036 1110866
İlgili Ürünler
Microsemi
0150SC-1250M
JFETs Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2608
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB/TR
JFETs Transistors
Microsemi Corporation
2N2609
JFETs Transistors
Vishay
2N3819
JFETs Transistors
Central Semiconductor
2N3819 APM PBFREE
JFETs Transistors
Rochester Electronics
2N3819_Q
JFETs Transistors