Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tip
- GaN SiC HEMT
- Kılıf / Paket
- NI-780
- Operating Frequency
- 2 GHz
- Fabrika Paket Adedi
- 25
- Pd Power Dissipation
- 288 W
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Moisture Sensitive
- Yes
- Birim Ağırlık
- 0.526067 oz
- Gain
- 20.8 dB
- Transistor Type
- HEMT
- Id Continuous Drain Current
- 24 A
- Seri
- T1G2028536
- Part Aliases
- T1G2028536 1111394
- Vds Drainsource Breakdown Voltage
- 36 V
- Ambalaj
- Tray
- Maximum Drain Gate Voltage
- 48 V
- Output Power
- 260 W
- Configuration
- Single
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 275 C
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- RoHS
- Details
- Vgs Gatesource Breakdown Voltage
- 145 V
İlgili Ürünler
Microsemi
0150SC-1250M
JFETs Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2608
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB/TR
JFETs Transistors
Microsemi Corporation
2N2609
JFETs Transistors
Vishay
2N3819
JFETs Transistors
Central Semiconductor
2N3819 APM PBFREE
JFETs Transistors
Rochester Electronics
2N3819_Q
JFETs Transistors