Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Operating Frequency
- 1 GHz to 1.1 GHz
- Applications
- Avionics, IFF Transponders
- RoHS
- Details
- Maximum Drain Gate Voltage
- 225 V
- Output Power
- 1.5 kW
- Development Kit
- QPD1025LEVB1
- Id Continuous Drain Current
- 28 A
- Birim Ağırlık
- 1.399148 oz
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 85 C
- Configuration
- Dual Gate Dual Drain
- Fabrika Paket Adedi
- 18
- Kılıf / Paket
- NI-1230-4
- Transistor Type
- HEMT
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Moisture Sensitive
- Yes
- Ambalaj
- Tray
- Gain
- 22.9 dB
- Seri
- QPD1025L
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Pd Power Dissipation
- 758 W
İlgili Ürünler
Microsemi
0150SC-1250M
JFETs Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2608
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB/TR
JFETs Transistors
Microsemi Corporation
2N2609
JFETs Transistors
Vishay
2N3819
JFETs Transistors
Central Semiconductor
2N3819 APM PBFREE
JFETs Transistors
Rochester Electronics
2N3819_Q
JFETs Transistors