Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Seri
- QPD1022
- Vgs Gatesource Breakdown Voltage
- - 2.8 V
- Gain
- 24 dB
- Ambalaj
- MouseReel
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Vds Drainsource Breakdown Voltage
- 32 V
- Pd Power Dissipation
- 13.8 W
- Part Aliases
- QPD1022
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Development Kit
- QPD1022EVB01
- Output Power
- 10 W
- Id Continuous Drain Current
- 610 mA
- Operating Frequency
- DC to 12 GHz
- RoHS
- Details
- Transistor Type
- HEMT
- Kılıf / Paket
- QFN-16
- Moisture Sensitive
- Yes
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Fabrika Paket Adedi
- 100
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 85 C
İlgili Ürünler
Microsemi
0150SC-1250M
JFETs Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2608
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB/TR
JFETs Transistors
Microsemi Corporation
2N2609
JFETs Transistors
Vishay
2N3819
JFETs Transistors
Central Semiconductor
2N3819 APM PBFREE
JFETs Transistors
Rochester Electronics
2N3819_Q
JFETs Transistors