Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Gain
- 21 dB
- Ambalaj
- Reel
- Seri
- QPD1011
- Vgs Gatesource Breakdown Voltage
- 145 V
- Vds Drainsource Breakdown Voltage
- 50 V
- Pd Power Dissipation
- 13 W
- Part Aliases
- QPD1011
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Maximum Drain Gate Voltage
- 55 V
- RoHS
- Details
- Operating Frequency
- 30 MHz to 1200 MHz
- Id Continuous Drain Current
- 1.46 A
- Development Kit
- QPD1011EVB01
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Output Power
- 8.7 W
- Fabrika Paket Adedi
- 100
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 85 C
- Moisture Sensitive
- Yes
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Transistor Type
- HEMT
- Kılıf / Paket
- SMD-8
İlgili Ürünler
Microsemi
0150SC-1250M
JFETs Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2608
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB/TR
JFETs Transistors
Microsemi Corporation
2N2609
JFETs Transistors
Vishay
2N3819
JFETs Transistors
Central Semiconductor
2N3819 APM PBFREE
JFETs Transistors
Rochester Electronics
2N3819_Q
JFETs Transistors