Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Configuration
- Single
- Fabrika Paket Adedi
- 50
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 85 C
- Moisture Sensitive
- Yes
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Transistor Type
- HEMT
- Kılıf / Paket
- QFN-16
- RoHS
- Details
- Operating Frequency
- 4 GHz
- Birim Ağırlık
- 0.081130 oz
- Id Continuous Drain Current
- 400 mA
- Development Kit
- QPD1010-EVB1
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Output Power
- 11 W
- Vds Drainsource Breakdown Voltage
- 50 V
- Pd Power Dissipation
- 13.5 W
- Part Aliases
- 1132873 1132873
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Gain
- 24.7 dB
- Ambalaj
- Waffle
- Vgs Th Gatesource Threshold Voltage
- - 2.8 V
- Seri
- QPD1010
- Vgs Gatesource Breakdown Voltage
- 145 V
- Operating Temperature Range
- - 40 C to + 85 C
İlgili Ürünler
Microsemi
0150SC-1250M
JFETs Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2608
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB/TR
JFETs Transistors
Microsemi Corporation
2N2609
JFETs Transistors
Vishay
2N3819
JFETs Transistors
Central Semiconductor
2N3819 APM PBFREE
JFETs Transistors
Rochester Electronics
2N3819_Q
JFETs Transistors