Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Kılıf / Paket
- NI-360
- Gain
- 17.5 dB
- Output Power
- 162 W
- Operating Temperature Range
- - 40 C to + 85 C
- Montaj Stili
- Screw Mount
- Vds Drainsource Breakdown Voltage
- 50 V
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Pd Power Dissipation
- 127 W
- Transistor Type
- HEMT
- Development Kit
- QPD1008LPCB401
- RoHS
- Details
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 85 C
- Id Continuous Drain Current
- 4 A
- Configuration
- Single
- Fabrika Paket Adedi
- 25
- Moisture Sensitive
- Yes
- Vgs Th Gatesource Threshold Voltage
- - 2.8 V
- Vgs Gatesource Breakdown Voltage
- 145 V
- Ambalaj
- Tray
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Parça Durumu
- Obsolete
- Operating Frequency
- 3.2 GHz
- Seri
- QPD1008L
İlgili Ürünler
Microsemi
0150SC-1250M
JFETs Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2608
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB/TR
JFETs Transistors
Microsemi Corporation
2N2609
JFETs Transistors
Vishay
2N3819
JFETs Transistors
Central Semiconductor
2N3819 APM PBFREE
JFETs Transistors
Rochester Electronics
2N3819_Q
JFETs Transistors