Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Maximum Drain Gate Voltage
- 145 V
- Operating Frequency
- 1.2 GHz to 1.4 GHz
- Seri
- QPD1006
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 85 C
- Id Continuous Drain Current
- 14 A
- Moisture Sensitive
- Yes
- Configuration
- Single
- Fabrika Paket Adedi
- 36
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Development Kit
- QPD1006EVB3
- Pd Power Dissipation
- 445 W
- Transistor Type
- HEMT
- Transistor Polarity
- N-Channel
- RoHS
- Details
- Kılıf / Paket
- NI-50CW
- Gain
- 17.8 dB
- Output Power
- 450 W
- Applications
- Civilian and Military Radar
İlgili Ürünler
Microsemi
0150SC-1250M
JFETs Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2608
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB/TR
JFETs Transistors
Microsemi Corporation
2N2609
JFETs Transistors
Vishay
2N3819
JFETs Transistors
Central Semiconductor
2N3819 APM PBFREE
JFETs Transistors
Rochester Electronics
2N3819_Q
JFETs Transistors