MTM861270LBF

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Active

Element Configuration

Single

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Gate To Source Voltage Vgs

10V

Yükseklik

530μm

Current Continuous Drain Id25

2A Ta

Transistor Element Material

SILICON

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Reach Svhc

No SVHC

JESD-609 Kodu

e6

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Drain To Source Voltage Vdss

20V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Power Dissipation

540mW

Nominal Vgs

-750 mV

Genişlik

1.4mm

Continuous Drain Current Id

-2A

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Uzunluk

1.6mm

Yayın Yılı

2010

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fet Type

P-Channel

Turn Off Delay Time

57 ns

Vgs Max

±10V

Drain Currentmax Abs Id

2A

Number Of Elements

1

Vgsth Max Id

1.1V @ 1mA

Ds Breakdown Voltagemin

20V

Pin Sayısı

6

Terminal Sayısı

6

Direnç

120mOhm

Operating Mode

DEPLETION MODE

Kılıf / Paket

6-SMD, Flat Leads

Turn On Delay Time

6 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

300pF @ 10V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Application

SWITCHING

Power Dissipation Max

540mW Ta