MTM761100LBF

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Active

Element Configuration

Single

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Gate To Source Voltage Vgs

8V

Yükseklik

700μm

Current Continuous Drain Id25

4A Ta

Transistor Element Material

SILICON

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Reach Svhc

No SVHC

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Drain To Source Voltage Vdss

12V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Power Dissipation

700mW

Drain To Source Breakdown Voltage

-12V

Nominal Vgs

-650 mV

Genişlik

1.7mm

Continuous Drain Current Id

-4A

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Uzunluk

2mm

Yayın Yılı

2010

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fet Type

P-Channel

Vgs Max

±8V

Drain Currentmax Abs Id

4A

Number Of Elements

1

Vgsth Max Id

1V @ 1mA

Pin Sayısı

6

Direnç

42mOhm

Terminal Sayısı

6

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kılıf / Paket

6-SMD, Flat Leads

Input Capacitance Ciss Max Vds

1200pF @ 10V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Power Dissipation Max

700mW Ta

Transistor Application

SWITCHING

Rds On Max Id Vgs

42m Ω @ 1A, 4V

Montaj Tipi

Surface Mount

Montaj

Surface Mount